影响发光二极管退化因素的深入探讨

来源 :第十三届全国LED产业发展与技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangwilly
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  为深入分析除温度外其他可能造成LED光输出退化的因素,本文针对几种常见情况,分别探索相应试验原理并提出线路图,在此基础上设计具体实验方案,即采用同一外延片同一区域相邻芯片同时封装的LED作为实验样品,将其置于相同工作温度环境,意在尽量消除芯片差异及温度影响,进而突出考核对比试验内容.2000小时的试验结果表明:同样的LED器件工作于脉冲驱动电流,其亮度较恒流驱动状态低,但其光输出退化并未减缓;相同的条件下,白光LED较蓝光LED光输出退化较快;而较小的电源纹波对光输出退化影响不大.采用恒流驱动及提高电源质量,有利于LED器件的寿命,减缓出光退化.
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气体纯化技术对于保证半导体行业发展至关重要,本文分析了半导体行业对气体的需求指标及现有气体纯化工艺的局限。介绍了采用催化、吸附、吸气剂等技术联用,对氮气、氢气、氩气等进行超纯气体纯化的系列新工艺。该系列工艺配合使用洁净管道、管件、阀门、洁净施工,所生产出的纯化器产气纯度可达8N以上,各种有害杂质均小于1ppb,确定了所开发的氮气、氢气、氩气纯化工艺产气指标、抗波动能力及适用性均可满足半导体行业发展
本文介绍了三安光电公司研发和生产的AlGaInP-LED薄膜RS系列芯片产品产业化技术现状.通过采用多项先进工艺和质量控制技术,产业化生产的RS-LED外延片和芯片具有良好的性能及可靠性.其中RS-LED芯片产品通过采用全方位反射镜、衬底转移、金属键合和表面粗糙化等关键工艺技术,实现了良好的大电流特性和电流扩展性能,亮度指标大幅提升,红光RS-LED芯片最高亮度达550mcd,Au-To封装后器件
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