【摘 要】
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基于宽禁带氮化镓(GaN)基材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)击穿电压高、频率和效率高、输出功率大、抗辐射、耐高温,是理想的微波、毫米波功率器件.随着GaN基微波功率器件的频率从微波到毫米波并逐渐提高,器件的尺寸不断缩小,目前已达到纳米量级[1-2],强场效应、短沟道效应日益突出.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,北京100083
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基于宽禁带氮化镓(GaN)基材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)击穿电压高、频率和效率高、输出功率大、抗辐射、耐高温,是理想的微波、毫米波功率器件.随着GaN基微波功率器件的频率从微波到毫米波并逐渐提高,器件的尺寸不断缩小,目前已达到纳米量级[1-2],强场效应、短沟道效应日益突出.
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