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Os膜阴极发射性能的研究
Os膜阴极发射性能的研究
来源 :中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangyangyingzi
【摘 要】
:
本文主要研究了Os膜阴极的发射性能,完善了等离子除气处理、磁场强度调整等工艺,比较了Os膜阴极、Ir膜阴极以及不覆膜阴极的发射电流密度的大小和过渡温度的高低,摸索了Os膜阴极
【作 者】
:
马静
王玉春
刘绍波
【机 构】
:
南京三乐电子信息产业集团有限公司,210009
【出 处】
:
中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会
【发表日期】
:
2009年期
【关键词】
:
发射电流密度
阴极寿命
温度
试验过程
发射性能
磁场强度
除气处理
等离子
不覆膜
工艺
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本文主要研究了Os膜阴极的发射性能,完善了等离子除气处理、磁场强度调整等工艺,比较了Os膜阴极、Ir膜阴极以及不覆膜阴极的发射电流密度的大小和过渡温度的高低,摸索了Os膜阴极寿命试验过程中发射电流密度的变化和过渡温度的变化。
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