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该文要用两步手长法生成反应生成立方结构的β－ＳｉＣ纳米晶须，探索ＳｉＣ纳米晶须的工艺条件。通过ＸＲＤ、ＨＲＥＭ、Ｒａｍａｎ、ＩＲ等检测手段，他们对生成的碳化硅纳米晶须的形貌、结构等进行了分析研究，其直径为３￣４０ｎｍ，长度为２￣２０μｍ。并具有峰值位于４３０ｎｍ的蓝光发射带，该文中还对碳化硅纳米晶须生长机制进行讨论。