【摘 要】
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用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了InGaAs/InAlAs异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电学性能.结果发现InGaAs量子阱的导带第一二电子子带向价带重空穴第一子带跃迁的发光峰强度比I/I及相应峰值的半高宽(FWHM)分别与Hall测量结果得到的二维电子气(2DFG)浓度和迁移率有定性的对应关系.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所新材料部(北京)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电学性能.结果发现In<,0.53>Ga<,0.47>As量子阱的导带第一二电子子带向价带重空穴第一子带跃迁的发光峰强度比I<,e2-hh1>/I<,e1-hh1>及相应峰值的半高宽(FWHM)分别与Hall测量结果得到的二维电子气(2DFG)浓度和迁移率有定性的对应关系.
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