【摘 要】
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本文分别采用InP和InAlAs作为背场生长InGaAsP太阳电池.InP作为背场的InGaAsP电池开路电压0.545V,短路电流44.51 mA/cm2,转换效率达到18.8％,性能优于InAlAs作为背场的电池
【机 构】
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中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室,苏州,215125
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本文分别采用InP和InAlAs作为背场生长InGaAsP太阳电池.InP作为背场的InGaAsP电池开路电压0.545V,短路电流44.51 mA/cm2,转换效率达到18.8％,性能优于InAlAs作为背场的电池.比较了两种电池的外量子效率,InAlAs作为背场的太阳电池在长波长波段的响应低于InP作为背场的电池.采用时间分辨光谱的方法研究了InGaAsP/InP和InGaAsP/InAlAs异质结的载流子动力学.InGaAsP/InP异质结中延迟时间是随着温度的上升而增加,而InGaAsP/InAlAs异质结中延迟时间随着温度的上升而减少.室温条件下.InGaAsP/InAlAs异质结延迟时间低于InGaAsP/InP异质结一个数量级.以上结果表面InGaAsP/InAlAs界面存在较严重的载流子复合,导致InGaAsP电池性能降低.
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