【摘 要】
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The III-V/high-k oxide has been regarded as one of the promising candidates in the next generation metal-oxide-semiconductor field effect transistors(MOSFET)due to its higher carrier mobility and high
【机 构】
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Department of Electronics & Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Device and Technolo
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The III-V/high-k oxide has been regarded as one of the promising candidates in the next generation metal-oxide-semiconductor field effect transistors(MOSFET)due to its higher carrier mobility and higher breakdown electric field. However,this specific interface structure is suffering from thermal stability,caused mainly by interfacial III-V elemental diffusion,especially indium(In)diffusion in the post annealing process. The interfacial In diffusion could further cause interfacial gap states and charge traps in oxide,severely undermining device performance.
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金刚石中的NV-色心在量子计算中具有重要的的应用价值，但它在一定条件下容易失去电子，变成NV0电荷态，影响NV-的应用。本文利用第一性原理计算方法，研究应力对两种电荷态相对稳定性进行调节的可能性。通过计算两种电荷态在外应变作用下的形成能，我们发现(1)不同电荷态的NV缺陷依赖于外应变，且跟外应变的类型有关。
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基于密度泛函理论，研究了一系列金团簇和金纳米管、内嵌金属硅富勒烯和排球烯的结构、结构稳定性和电子结构。探索了金笼状结构稳定的物理根源，探索了重金属的相对论效应和d轨道的贡献在金团簇笼状结构形成中的贡献；在电子结构的层次上探讨了内嵌过渡金属对硅的笼状结构的影响，研究了过渡金属元素的d轨道和稀土元素的f轨道对硅电子结构的影响，提议了稀土铕元素对硅电子轨道sp2杂化的诱导效应，研究了内嵌铕原子的硅富勒烯
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