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用热丝化学汽相淀积法（ＨＦＣＶＤ）在衬底温度为６００°Ｃ时制备具有纳米晶体结构的碳化硅薄膜。用ＸＰＳ、ＸＲＤ、拉曼撒射和ＨＲＴＥＭ等手段分析证明了薄膜样品的纳米晶体结构特征，光荧光测试表明这种材料在室温下具有较强的可见光发射，其光荧光谱的主峰能量接近２．２ｅＶ。
纳米碳化硅薄膜的结构特征及光致发光
【摘 要】
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用热丝化学汽相淀积法（ＨＦＣＶＤ）在衬底温度为６００°Ｃ时制备具有纳米晶体结构的碳化硅薄膜。用ＸＰＳ、ＸＲＤ、拉曼撒射和ＨＲＴＥＭ等手段分析证明了薄膜样品的纳米晶体结构特征，光荧光测试表明这种材料在室温下具有较强的可见光发射，其光荧光谱的主峰能量接近２．２ｅＶ。
【机 构】
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理工大学应用物理系 理工大学电子工程系
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年12期
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