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用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8-12μm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分布函数的概念,并计算了一个InSb单晶和三个不同组分的InAs1-xSbx样品的透射光谱.结果表明,实验测得的样品的截止波长与理论算得的数据基本一致,从而证实了熔体外延法生长的InAs1-xSbx单晶的禁带宽度变窄的现象.并认为组分微观分布的不均匀性可能影响Ⅲ-Ⅴ族混晶的能带结构.