【摘 要】
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在重掺N型硅衬底上制备了SiO2/ZnO/CdO/SiO2双势垒器件。通过适当地热处理，在ZnO/CdO两薄膜层中实现了Cd浓度渐变的CdxZn1-xO薄膜发光层。对器件的电致发光性能进行测试发现，在较小的正向电流(此时硅衬底接负压)注入下，器件在紫光区内产生随机激射；而当注入电流增大到一定数值以后，除了紫光区内的随机激射外，器件在红光区内也产生了随机激射。研究表明，紫光、红光区域内的随机激射峰分
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
【出 处】
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2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会
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在重掺N型硅衬底上制备了SiO2/ZnO/CdO/SiO2双势垒器件。通过适当地热处理，在ZnO/CdO两薄膜层中实现了Cd浓度渐变的CdxZn1-xO薄膜发光层。对器件的电致发光性能进行测试发现，在较小的正向电流(此时硅衬底接负压)注入下，器件在紫光区内产生随机激射；而当注入电流增大到一定数值以后，除了紫光区内的随机激射外，器件在红光区内也产生了随机激射。研究表明，紫光、红光区域内的随机激射峰分别来源于低Cd、高Cd掺杂下的CdxZn1-xO薄膜。
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