Pt和PtBi在HSO-CHOH中的氧还原性能

来源 :中国科协第五届青年学术年会材料科学技术分会暨第三届海内外中华青年材料科学技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nihaohaoya
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采用氩弧熔炼后热处理方法制备了PtBi金属间化合物材料.采用循环伏安和旋转圆盘电极手段进行电化学性能测试.通过在0.5mol/L H<,2>SO<,4>+0.25mol/L CH<,3>OH溶液中对氧还原的起始电位和电流密度大小比较发现,与光滑铂电极相比,PtBi金属间化合物具有良好的氧还原催化性能和抗甲醇中毒性能.从结构方面分析了PtBi具有抗甲醇中毒性能的原因,认为是PtBi-中大的Pt-Pt间距不利于甲醇的吸附解离.X射线光电子能谱(XPS)结果表明,PtBi材料中Pt的d电子空穴增加,可能是导致PtBi电极表面氧还原电流增大的原因.
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采用溶胶-凝胶法制备了掺杂Fe离子的TiO溶胶,并采用浸渍提拉法在多孔陶瓷上涂敷了该Fe、TiO膜,研究了工艺条件对多孔陶瓷性能的影响.研究结果表明:溶胶的pH值及粘度、掺杂Fe离子的量和涂层次数等对多孔陶瓷的性能参数及光催化氧化性能有很大影响;当溶胶的pH值为3~4、溶胶粘度约6mPa·s、掺杂Fe离子量为2.0g/L左右、涂层次数为2~3次时,制备的多孔陶瓷具有良好的过滤性能和光催化氧化性能.
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利用化学溶液沉积法在R面切割的AlO单晶基底上进行了沉积制备有(200)择优取向CeO涂层的研究.以无机铈盐为前驱体,采用浸渍提拉法制备溶液涂层,然后采用在空气中加热处理的方法,得到CeO涂层,并利用X射线衍射、拉曼光谱等对CeO涂层进行了表征.研究结果表明,影响CeO涂层的织构形成的关键因素包括铈盐前驱体溶液的Ce浓度以及热处理制度.降低Ce浓度结合提高晶化热处理温度有利于涂层(200)择优取向
采用自蔓延高温合成技术(SHS)制备了对Sr锶核素有不同包容量的钙钛矿人造岩石固化体,测定了其物理性能.采用PCT法,X射线衍射(XRD)、透射电镜分析了固化体的浸出率、微观结构和相组分.试验结果表明:该方法可获得较高的反应温度,可使反应在瞬间完成,而且获得的产物具有密度高、成分均匀、浸出率低、包容量大等优点,从而达到封闭、隔离高放废物的目的.
系统地测量了略过掺杂的高温超导体BiSrCaCuO单晶的电阻率、霍尔效应和能斯特(Nernst)效应,发现磁通涡旋运动产生的能斯特信号从超导临界温度(T=83K)一直延续到远高于T的某一温度(T=105K).从正常态电阻率温度关系偏离线性点确定的赝能隙打开的特征温度(T)为120K,但从磁阻和霍尔效应确定的超导涨落起始点约为105K,与类磁通激发的能斯特信号的起始温度点T相吻合.这些结果表明:在略
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