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本文通过光学浮区法生长了Yb3+离子掺杂的Lu1-xYxAG混晶.生长采用[111]方向的YAG单晶为籽晶,在Ar保护气氛中进行,生长速度为6-10mm/min.所得晶体直径约5mm,抛光后的晶片透过率接近理论透过率,在350-2000nm波长范围内透过率均在81％以上(1mm厚度).
高质量Yb:Lu1-xYxAG 混晶的光学浮区法制备
【摘 要】
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本文通过光学浮区法生长了Yb3+离子掺杂的Lu1-xYxAG混晶.生长采用[111]方向的YAG单晶为籽晶,在Ar保护气氛中进行,生长速度为6-10mm/min.所得晶体直径约5mm,抛光后的晶片
【机 构】
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上海应用技术学院
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2015年期
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