【摘 要】
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利用测得的方形和圆形A1GaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性.我们发现由于AlN插层使得二维电子气与极化电荷的间距变大,从而导致由AlGaN势垒层应变不同而引起的极化梯度库仑场散射在AlGaN/AlN/GaN异质结构中与在AlGaN/GaN结构中相比相对变弱,但极化梯度库仑场散射在方形和圆形AlGaN/A1N/GaN场效应晶体管中仍然对二维电子
【机 构】
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山东大学物理学院,济南 250100 中国科学院凝聚态物理北京国家重点实验室,北京 100083
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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利用测得的方形和圆形A1GaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性.我们发现由于AlN插层使得二维电子气与极化电荷的间距变大,从而导致由AlGaN势垒层应变不同而引起的极化梯度库仑场散射在AlGaN/AlN/GaN异质结构中与在AlGaN/GaN结构中相比相对变弱,但极化梯度库仑场散射在方形和圆形AlGaN/A1N/GaN场效应晶体管中仍然对二维电子气的迁移率仍然有重要的影响。
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