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研制出蓝宝石衬底的15nm势垒层的F注入增强犁AlGaN/GaNHEMT。薄势垒耗尽型器件阈值电压为-1.7V,而常规的22nm器件阈值电压为-3.5V,......
本文重点研究了蓝宝石衬底上的铝镓氮/氮化镓(AlGaN/GaN)增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)和集成电路。
首先，开展了不同F等离......
相比于第一,第二代半导体,GaN半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和速度大、导热性能好等优点。AlGaN/GaN HEMT作为GaN......
本文重点研究了蓝宝石衬底上的F等离子体处理增强型AlGaN/GaN HEMT的可靠性。首先，采用分步光刻的方法在同一圆片上成功制备不同F等......
尽管AlGaN/GaN HEMT器件在微波大功率特性方面取得很大的进步,因为缺少p型沟道的AlGaN/GaN HEMTs,类似CMOS的电路组成不能实现。通......
