宽光谱吸收上转换材料的合成及其在太阳电池中的应用

来源 :第十一届中国光伏大会暨展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bimzhouhong
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针对太阳电池存在带隙限制不能吸收利用太阳光谱中近红外的长波低能光子,提出利用多种稀土离子共同掺杂,实现太阳电池用宽谱域上转换材料的设计与合成。并且考虑到材料的发光效果和材料尺寸大小的关系,制备出了不同稀土离子掺杂的微米级上转换材料。最后提出了一种可以检测上转换材料在电池中应用效果的装置,并且通过该装置考察了制备上转换材料在电池中的应用效果,为加深第3代太阳电池的研究奠定了很好的基础。
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我们使用电子束蒸发交替蒸镀多层的碲、镍亚层,经过热处理制备出了碲镍化合物。研究了不同碲、镍原子比的薄膜经过不同温度退火的结构。发现退火温度比较低时候,除了存在非晶态的物质外,还有晶态Te,NiTe,NiTe2。随着退火温度的升高晶态碲单质消失。将NiTeχ薄膜用作CdTe多晶薄膜太阳的背接触层,二极管因子减小,载流子浓度增加,太阳电池器件性能得到明显改善,转换效率大幅度提高。
采用PECVD技术在柔性不锈钢衬底上制备径向p-i-n硅纳米线(Silicon Nanowires-SiNWs)太阳能电池以及硅薄膜电池。电流一电压测试表明硅纳米线电池的开路电压为0.57 V,短路电流密度为20.23 mA/cm2、转化效率达3.83%。与硅薄膜电池相比,硅纳米线电池电流密度显著提高,我们将其归因于硅纳米线电池具有较低的光反射,因而能更充分吸收太阳光。
用共蒸发法制备了Cu2Te多晶薄膜,并对刚沉积和退火后薄膜的结构、光学性质、电学性质作了表征。结果表明退火对薄膜的结构影响显著,薄膜由非晶态变成了结晶态。经过退火以后薄膜的透过率增加,可见薄膜的晶化有利于光的透过。霍尔效应表明Cu2Te是一种良好的p型材料,退火有利于提高栽流子的迁移率,而其栽流子浓度也达到了1.88×1021cm-3。电导率-温度曲线说明退火过程有利于薄膜的结晶化。
在染料敏化太阳电池(DSC)中,电解质的添加剂通过对Ti02的表面修饰调控开路电压或短路电流从而提高DSC的光伏性能。本文通过线性扫描法、电化学阻抗法研究了一元和二元离子液体电解质中4-叔丁基吡啶(TBP)、N-甲基苯并咪唑(NMBl)和苯并咪唑(B1)三种添加剂对电池界面特性、I-和I-3扩散及电解质电化学窗口的影响。研究结果表明:两种离子液体与不同添加剂之间可能存在相互作用,从而影响了TiO2
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采用掠角热丝化学气相沉积(GLAD-HWCVD)技术,在140℃的衬底温度下,制备了定向生长的晶化硅纳米棒(silicon nanorods,SiNRs)。发现了在同样的实验条件下,掠角生长的硅纳米棒比基元垂直入射下生长的硅薄膜更容易晶化的新现象。在自组装有序SiO2颗粒模版上生长的硅纳米棒表现出均匀的纵向生长。制备了硅纳米棒/聚3-己基噻吩(P3HT)有机-无机复合太阳电池,初步获得了1%的转换
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