GaN是制备光电器件(如LED﹑LD)的理想材料。目前,GaN基LED通常采用Ni/Au作为p-GaN接触电极,但当Ni/Au太厚,其透光率低,大大降低了LED......

以In/Ga电极作为参考电极,研究讨论了铝电极厚度对最终PTC元件性能的影响,并得出了最佳厚度参数.采用差热分析法,观察了在升温过程......

GaN基材料禁带宽度大、电子饱和速率高、击穿电场高并且具有较好的耐腐蚀性、抗辐射性以及较高的热导率,在高频、大功率、辐射、高......