基于ANSYS的天线测试塔架性能分析和参数优化

来源 :第七届中日机械技术史及机械设计国际学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shaoshao137
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测试系统塔架是天线远场测试系统的重要组成部分,本文针对某天线远场测试的塔架结构建模,利用ANSYS软件对其进行性能计算分析,得出了结构的固有振动频率较低、总体性能(结构刚度、固有幅频特性)偏差的结论;针对约束参数与设计变量之间没有准确关系表达式,利用数值求解的方法,通过 ANSYS软件的优化设计模块对该结构的参数进行了优化设计,得到了整体性能较好、结构紧凑的设计参数。分析设计结果为塔架的改进设计提供了依据。
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在本考察了金刚石薄膜的成核密度对其场发射特性的影响,发现较低的成核密度有利于获得较好的发射特性;对发射曲线进行了拟合,并对所得结果进行了讨论。
本文报导了纳米金刚石薄膜的场电子发射。金刚石薄膜是利用微波等离子体化学气相沉积法(CVD)在沉积了Mo膜的陶瓷衬底上制备的。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、Raman光谱等手段确定薄膜是纳米结构。X射线衍射谱显示有金刚石(111)面的宽峰,利用SEM观察到了薄膜的纳米结构,Raman谱显示在1332C<'-1>有一宽峰,另一个宽峰在1580cm<'-1>。在真空度约10<'-7>To
在Au/Si和Ti/Si和Si三种不同的衬底材料,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp<'3>键含量非晶金刚石薄膜(amorphous diamond:AD)。使用阳极覆盖有电压荧光粉的二极管型结构,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究。测试表明,衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响。结果表明,衬底界面层对其产生重要的影响。通过二次离子质谱(SIMS)测试分析了AD/Ti/
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采用磁过滤真空弧等离子体沉积系统,在纳米尺寸硅尖针阵列<'[1]>上沉积不同厚度的非晶金刚石薄膜(a-D)。扫描电镜(SEM)分析结果表明薄膜均匀、平滑。利用配备有五维样品操纵台、网状阳极二极管测试结构、透明阳极、电流稳定性记录仪和实时录像系统等装置的场致发射综合分析仪,对具有不同薄膜厚度的尖针样品的场致电子发射特性进行测试,内容包括:电流—电压/电场特性、发射址的空间分布、电流稳定性等。结果发现
本文根据近年来国内外大力发展隈列场发射阴极,并据此形成了研制各类真空微电子器件热点的事实,由阵列场发射阴极工作的特点出发,在总结归纳的基础上,简单介绍了当前国内外学者最看重的几种阵列场发射阴极的现状。
基于行列矩阵寻址工作方式的场致发射平板显示大器(FED),其阴极场致发射阵列(FEA)和栅极通常安排为一组相互正交的带状[1],其间以介质薄膜隔离。在Si锥阴极FEA的制作中,我们充分利用了与集成电路(IC)相兼容的工艺进行带状FEAs阵列的制作,由于与成熟的IC工艺相兼容,保证了较高的成品率。