【摘 要】
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本文运用热处理方法对电子束蒸发制备的ZnO:Zn荧光薄膜分别进行400℃、600℃退火处理.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光谱等手段,表征了ZnO:Zn荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能,在ZnO:Zn荧光薄膜的X射线衍射谱和扫描电子显微镜照片中,可以看出经退火处理后结晶状况大大改善,多晶结构趋于规则,晶粒更加均匀且膜层结构更加致密.在ZnO:Zn荧光薄膜的光致发光谱中
【机 构】
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天津理工学院材料物理研究所,天津,300191 天津理工学院材料物理研究所,天津,300191;河
【出 处】
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华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会
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本文运用热处理方法对电子束蒸发制备的ZnO:Zn荧光薄膜分别进行400℃、600℃退火处理.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光谱等手段,表征了ZnO:Zn荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能,在ZnO:Zn荧光薄膜的X射线衍射谱和扫描电子显微镜照片中,可以看出经退火处理后结晶状况大大改善,多晶结构趋于规则,晶粒更加均匀且膜层结构更加致密.在ZnO:Zn荧光薄膜的光致发光谱中,检测到490nm处发光峰,认为一价氧空位(V·O)充当发光中心,且薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大.实验表明随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,薄膜的发光性能不断提高.
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