【摘 要】
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短波红外1.0-2.6 μm探测在军用、民用、航空航天等研究领域具有十分重要的意义.目前在InGaAs红外探测器结构设计中,特别是半导体光伏型红外探测器中,都采用p-i-n结构,盖层分别是p型InAsP或InAlAs,吸收层即i层是不同组分的InGaAs,n层是InP衬底,探测范围是由盖层和吸收层材料的禁带宽度决定的.
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,发光学及应用国家重点实验室,长春130033
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短波红外1.0-2.6 μm探测在军用、民用、航空航天等研究领域具有十分重要的意义.目前在InGaAs红外探测器结构设计中,特别是半导体光伏型红外探测器中,都采用p-i-n结构,盖层分别是p型InAsP或InAlAs,吸收层即i层是不同组分的InGaAs,n层是InP衬底,探测范围是由盖层和吸收层材料的禁带宽度决定的.
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