【摘 要】
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本文通过实验发现生长钝化层之前使用HF 酸将硅片表面的氧化层充分漂洗掉对电池片电学性能的影响至关重要.同时,对比了SiN 膜和a-Si:H 膜对太阳能电池的钝化效果,发现a-Si:H
【机 构】
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中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室,北京 10029 河北师范大学物理科学与信息工程学院,石家庄 050024
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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本文通过实验发现生长钝化层之前使用HF 酸将硅片表面的氧化层充分漂洗掉对电池片电学性能的影响至关重要.同时,对比了SiN 膜和a-Si:H 膜对太阳能电池的钝化效果,发现a-Si:H 膜有利于提高电池的开路电压,但是和SiN 薄膜相比,短路电流有所下降,通过内量子效率发现,主要是由于非晶硅对短波光的吸收造成,同时降低了电池的效率.可见,非晶硅有利于太阳能电池的钝化,但是为了综合提高电池的性能,仍需进一步优化,利用好非晶硅和氮化硅对电池的钝化效果.
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