PVDF-TiO复合材料的低频介电性能研究

来源 :第四届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:woai894781693
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
通过热压方法制备了PVDF-TiO<,2>复合材料,研究了复合材料低频介电行为,分析了填料含量和气孔率对复合材料有效电容率和介电损耗大小的影响,对比了PVDF-TiO<,2>和PVDF-SnO<,2>的微结构极化的频率分布,实验结果表明:在低频范围内(10kHz以下),适当提高填料含量和气孔率,能得到较大的电容率和介电损耗.当填料的电容率改变时,复合材料的微结构极化的频率分布也将改变.
其他文献
利用脉冲激光沉积技术制备了高质量的PtSi/Si纳米薄膜.采用X射线光电子能谱、原子力显微镜及高分辨电子显微镜等现代材料分析方法,研究了不同工艺参数薄膜的相形成、组分和界面结构,利用I-V法和FTIR法测量了样品的肖特基特性和红外吸收特性等光电性能.系统分析了工艺参数、界面结构与光电性能的关系.揭示了PtSi纳米薄膜的形成条件及其界面结构对红外探测性能的影响规律.
在一台三圆X射线衍射仪上,采用掠入射X射线衍射(GIXRD)技术,对在单晶Si(001)衬底上用分子束外延方法生长的不同组份、不同退火条件下的500nm厚的SiGe合金层进行了表面结构分析.研究发现:对外延生长后未退火的SiGe合金样品,随着Ge含量的增加表面合金的晶格膨胀、结构弛豫加剧;对相同Ge含量的合金样品,退火时间t和退火温度T的增加都导致弛豫峰变窄、合金结构均匀化,表明适宜的退火条件可使
用溶胶-凝胶法制备了氯酞菁氯铝掺杂的氧化硅胶体,并用旋转镀膜法制成薄膜,研究了薄膜的可见光谱,在波长680nm处有明显的吸收峰.
采用高分辨裂解气相色谱—质谱(HPPyGC-MS)对溶液法和胶乳法两种不同生产工艺制备的氯化天然橡胶的结构进行了分析研究.研究结果表明:溶液法和胶乳法两种工艺法制备的CNR具有相同的主体结构,但精细结构有差异,胶乳法CNR的分子中含有少量的羧基和羰基结构;CNR分子链上环结构应为六元环结构;CNR的裂解温度以445℃最佳,在386~590℃的范围内都较理想,其裂解特征产物是环已烷同系物.
研究了硫化物薄膜湿敏元件的感湿特性,发现Sb金属硫化物元件具有较好的湿敏特性和稳定性,本文对这类元件的频率特性、湿滞特性、响应-恢复时间、复阻抗以及稳定性进行了测试,并对其敏感机理和稳定性原理进行了探讨.
本文报道了利用电泳沉积方法在非水溶液中在钛金属表面制备生物活性陶瓷涂层,并初步探讨了不同分散介质、添加剂、沉积电压、沉积时间、介质中的生物陶瓷浓度等实验条件对于沉积过程和产物的影响,研究了后处理对于沉积层形貌和结合力的影响.研究结果表明,已获得平均剪切强度高于13MPa的磷酸三钙和羟基磷灰石陶瓷涂层.
研究分子束外延(MBE)生长的应变InGaAs/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.结果表明,RTA移除了InGaAs/GaAs界面非辐射中心,提高77K光致发光效率和有源层电子发射.同时Al和Ga原子互扩散,也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度.RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加.这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之
采用同时掺杂Tl、Al和Cr三种金属原子和改进固相反应的方法合成了复合尖晶石正极材料LiMnTlAlCrO,并采用XRD、SEM、TEM和电化学测试考察了它的物理性质和电化学性能.结果表明,所合成的正极材料具有与母体LiMnO尖晶石一样完整的尖晶石结构,均匀的形貌和粒径分布,良好的电化学性能,平均粒径约800nm.其首次充放电容量分别为121.3mAh/g和115.70mAh/g.
利用溶液相合成技术把多余的锂元素掺入到主尖晶石相中制得掺锂活性材料.最终产品材料具有颗粒细小、分布均匀及结晶性能好等特点.利用X-射线粉末衍射仪、傅里叶变换红外分光光度计及扫描电子显微镜对所合成掺杂锂材料的结构性能进行表征.随掺锂量的增加,锰的平均价态相应升高而晶胞逐渐收缩、Mn-O键却依次增强.电化学性能测试结果表明,起始反应物摩尔数比采用Li:Mn=1.06:1.94可获得较好的初始容量及循环
制备了一系列(1-x)(0.64Pb(NiNb)O-0.36PbTiO)-xPZT(x=0.10~0.70)陶瓷材料.研究了材料的相结构和介电压电性能.结果表明,所有材料都具有钙钛矿相结构.根据材料的介电压电性能,得出此系统的类准同型相界在x=0.35~0.40附近.组成在相界附近的材料具有优异的介电压电性能.同时研究了退火处理对试样压电性能的影响,退火处理改善了材料的压电性能.制备出了1kHz下