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以SiCl<,4>和H<,2>为气源,用等离子体化学气相沉积技术,通过控制和选择工艺条件,在小于300℃的低温下快速沉积晶化硅薄膜,沉积速率高达3A/s以上.本文研究沉积速率与工艺条件的依赖关系和对薄膜结晶度的影响.
以SiCl<,4>-H<,2>为源气体用PCVD方法低温快速生长晶化硅薄膜
【摘 要】
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以SiCl和H为气源,用等离子体化学气相沉积技术,通过控制和选择工艺条件,在小于300℃的低温下快速沉积晶化硅薄膜,沉积速率高达3A/s以上.本文研究沉积速率与工艺条件的依赖关
【机 构】
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汕头大学物理系(汕头)
【出 处】
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2003年中国太阳能学会学术年会
【发表日期】
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2003年期
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