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低温下快速沉积相关论文
以SiCl-H为源气体用PCVD方法低温快速生长晶化硅薄膜
以SiCl和H为气源,用等离子体化学气相沉积技术,通过控制和选择工艺条件,在小于300℃的低温下快速沉积晶化硅薄膜,沉积速率高达3A/s......
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