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氮化镓（ＧａＮ）是一种优良的兰色发光半导体材料。该文作者采用反应离化簇团束方法（Ｒ－ＩＣＢＤ）在Ｓｉ（１１１）衬底上用较低的衬底温度（４００℃）得到了氮化镓薄膜，用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），扫描电镜（ＳＥＭ）对薄膜的成分、结构、形貌进行了分析。结果表明，薄膜中已形成ＧａＮ晶体结构。