【摘 要】
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本文通过磁控溅射技术制备了CdS 窗口层多晶薄膜和CdTe 吸收层多晶薄膜,研究了不同试验参数对CdTe 多晶薄膜的影响.利用国产的原材料和靶材的压制技术,使用国产的磁控溅射设备,目前已经得到了10 cm×10 cm、厚度均匀的CdS 和CdTe 多晶薄膜.我们研究了不同CdCl2处理和溅射沉积时不同的基片偏压对CdTe 多晶薄膜形态、晶粒尺寸、结晶质量的影响,及其对CdTe 薄膜电池开路电压、填
【机 构】
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中国科学院电工研究所,中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,北京 100190
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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本文通过磁控溅射技术制备了CdS 窗口层多晶薄膜和CdTe 吸收层多晶薄膜,研究了不同试验参数对CdTe 多晶薄膜的影响.利用国产的原材料和靶材的压制技术,使用国产的磁控溅射设备,目前已经得到了10 cm×10 cm、厚度均匀的CdS 和CdTe 多晶薄膜.我们研究了不同CdCl2处理和溅射沉积时不同的基片偏压对CdTe 多晶薄膜形态、晶粒尺寸、结晶质量的影响,及其对CdTe 薄膜电池开路电压、填充因子、短路电流密度、转化效率的影响.研究结果表明低温磁控溅射技术具有较宽的工艺窗口.所制备的CdTe 太阳能电池的平均效率达到了11％以上,最佳电池开路电压达到了~790 mV,效率达到12.78％.
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