【摘 要】
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采用AMPS 模拟软件,对n-i-p 结构的非晶硅锗单结薄膜太阳电池I-V 特性进行了理论模拟,分别讨论了非晶硅锗本征层材料中缺陷态密度、本征层厚度及本征层与p 层界面处缓冲层对电池I-V 特性的影响；模拟实验发现本征层态密度每降低一个数量级,电池的转换效率可提高一个百分点以上；将模拟获得的结论应用于电池的实验制备中,采用RF-PECVD 法获得了效率为8.3 ％的柔性聚酰亚胺单结非晶硅锗薄膜电池
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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采用AMPS 模拟软件,对n-i-p 结构的非晶硅锗单结薄膜太阳电池I-V 特性进行了理论模拟,分别讨论了非晶硅锗本征层材料中缺陷态密度、本征层厚度及本征层与p 层界面处缓冲层对电池I-V 特性的影响；模拟实验发现本征层态密度每降低一个数量级,电池的转换效率可提高一个百分点以上；将模拟获得的结论应用于电池的实验制备中,采用RF-PECVD 法获得了效率为8.3 ％的柔性聚酰亚胺单结非晶硅锗薄膜电池(AM 0 光谱,电池面积0.5 cm2).
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本文在平板电极结构的腔室中,研究了电极间距的变化对微晶硅材料的沉积速率、晶化率和电学性能的影响.研究发现,在一定范围内,通过适当增大电极间距可以有效提高沉积速率,但微晶硅材料的电学性能却受到较大的影响.综合考虑沉积速率和材料性能,在沉积速率为1.5nm/s、电池厚度为1.2μm时,获得转换效率为8.17％单结微晶硅电池.
宽光谱透明导电氧化物(TCO)材料及其在薄膜太阳电池上的应用已成为新的研究热点.增加TCO 薄膜在近红外区域的光学透过对于提高太阳电池效率具有重要意义.本文通过优化ZnO 缓冲层(buffer layer),有效地改善了MOCVD-ZnO:B 的光电特性.结果表明：“富氧”的缓冲层有效地增加了ZnO:B-TCO 的近红外区域透过率,使其更适应宽光谱薄膜太阳电池的发展要求.经过优化的ZnO:B 特性
透明导电氧化铟锡(ITO)薄膜可应用于nip 硅基薄膜太阳电池前电极(顶电极),低温制备ITO 薄膜对于nip 太阳电池尤其重要.但是,低温制备的ITO 薄膜光学透过和电学性能并不理想.本文使用热蒸发方法研究低温制备ITO 的光学透过和电学性能,采用加热氧气的方法,可以改善低温制备的ITO 薄膜的透过性能.在衬底温度为175℃,反应压强为0.26Pa 时,生长获得的厚度80nm-ITO 薄膜,其可
采用PECVD 技术,在较低的衬底温度(.60℃)条件下沉积掺硼的氢化纳米硅P 掺杂层.将这种氢化纳米硅p 层应用到玻璃顶衬的TCO/p- Si:H (20nm) /i-a-Si:H (350nm) /n-nc-Si:H(30nm) /Al (200nm)单结非晶硅太阳能电池中,结果发现轻微晶化的氢化纳米硅p 层的太阳能电池性能最好.结合氢等离子界面预处理得到电池光电转换效率9.0％(Voc=0.
使用第一性原理对1.6nm 的Si 粒子在0 K 时B/P 不同掺杂位置和不同掺杂量进行模拟,并对能带、电子状态密度图以及体系能量进行分析.发现B/P 掺杂时掺杂原子都主要集中于粒子表面,不同的掺杂位置会在禁带中引入不同的能级.而且B 掺杂时在电子状态密度图能在禁带中看到一个很明显的峰,随掺杂量体系能量也会增加,体系变得很不稳定,这就解释了为什么B 在高掺杂时需要较高的能量注入.还发现在用B/P
迅力光能自主开发成功高集成宽幅卷对卷薄膜硅太阳能电池生产线,在0.127mm 厚的不锈钢基底上生产的a-Si/a-SiGe 多结太阳电池实现了初始转换效率大于10％.所生产的柔性光伏组件产品在2010 年已经取得美国ETL(UL1703)认证,以及欧洲TUV(IEC61646/EN61730)和CE 认证.
作为为光伏的一个重要领域,硅基薄膜电池技术在过去5 年有了长足的发展,特别是近期硅基叠层薄膜电池的引入和产业化更是显著地提高薄膜电池转换效率.如今前沿领域的硅基薄膜电池制造商都朝着商业化量产稳定效率10％迈进.过去几年里作为世界上少数几家仍在量产硅基薄膜电池的企业,正泰太阳能一直走在硅基薄膜技术创新及量产大面积组件(1.1x1.3m2)的最前沿,在薄膜电池,组件,及组件能源输出方面都做了大量的研发
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