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阐述了Hg肖特基C-V技术的测量原理及其在特殊外延结构中的应用，针对其它外延层电阻率或浓度测量方法进行了比较，提出了应用Hg肖特基C-V技术测量外延参数的注意事项和参数设置要求，并对重掺衬底外延、双层外延、亚微米薄层外延等特殊外延结构进行了测量。
Hg肖特基C-V技术在特殊外延中的应用
【摘 要】
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阐述了Hg肖特基C-V技术的测量原理及其在特殊外延结构中的应用，针对其它外延层电阻率或浓度测量方法进行了比较，提出了应用Hg肖特基C-V技术测量外延参数的注意事项和参数设
【机 构】
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中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年期
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