6H-SiC相关论文
此文用第一性原理密度泛函理论（DFT）的广义梯度近似（GGA）的平面波赝势法（PBE）,计算了未掺杂及Co替位Si掺杂的6H-SiC体系的电子结构与光学......
在400℃下对单晶6H-SiC进行了400keV氦离子辐照,辐照剂量为1×1016He+/cm~2,随后在1200和1500℃退火30min。采用透射电子显微镜和......
该文采用有限元法研究了基于ScAlN/6 H-SiC结构的声表面波传播特性,并分析了4种激励条件下,压电材料厚度变化对ScAlN/6 H-SiC结构......
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波法,计算未掺杂与P替换Si、C以及P间隙掺杂6H-SiC的电子结构与光学性质.结果显示未掺......
随着电力电子技术的快速发展,以碳化硅（SiC）为材料的第三代宽禁带半导体大功率电力电子器件迅猛发展。SiC以其卓越的机械、化学、物......
In order to remove the cutting marks on the surface of the 6H-SiC cutting wafer, to investigate the mechanism ofthe abra......
在室温下用能量为2.3 MeV的Ne离子注入6H-SiC单晶样品(注量分别为2×1014，1.1×1015，3.75×1015ions／cm2)，注入后分别在300、773、973......
辐照会引起MOS器件电介质氧化物与半导体界面势垒变化，影响其工作性能和可靠性。测量了n型6H-SiC MOS电容辐照105rad(Si)剂量前后的......
辐照环境会使材料出现位移损伤,在材料内部产生缺陷.为了研究6 H-SiC晶体材料在受到辐照时缺陷的形成过程,基于分子动力学方法,采......
采用分子动力学方法研究了6H-SiC脆性切削的声发射响应.研究了原子尺度下6H-SiC的微变形和裂纹形核,同时对加工过程中的声发射源进......
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测量了７～１０００Ｋ的掺氮６ＨＳｉＣ材料基本电学性质，用电中性方程对载流子浓度温度倒数关系曲线进行拟合，利用化合物半导体散射机构计算了迁移率。数据......
基于碳化硅材料电离系数和迁移率的温度依赖性 ,利用有效电离系数的 Fulop近似 ,推出了 6 H- Si C单极性功率器件击穿电压和比导通......
本文使用AIXTRON公司生产的3×2"MOCVD设备,在6H-SiC衬底上,先后生长100nmAlN缓冲层,梯度AlxGa1-xN层,以及1.5μm GaN薄膜.为了验......
本文通过密度泛函理论第一性原理平面波超软赝势计算方法计算了 Mn掺杂6H-SiC的电子结构与光学性质.计算结果显示掺杂Mn后的6H-SiC......
随着高端制造进入纳米制造领域,微纳切削作为一种高精尖制造方法以其简单可行、低成本、适用范围广等特点广泛应用于航空航天、半......
本文研究了在不同浓度氮(N)掺杂对6H-SiC热氧化速率的影响,掺杂浓度分别为9.53×1016cm-3、1.44×1017cm-3、2.68×1018cm-3.在干......
少子寿命是反映半导体材料质量和器件特性非常重要的参数之一,在改善SiC双极功率器件的通态和开关特性方面起到了至关重要的作用.......
基于第一性原理计算了不同S原子覆盖率下6H-SiC(000(1))的表面能、电荷布局及表面态密度来研究钝化表面的稳定性问题.计算结果表明......
碳化硅(SiC)晶体具有宽禁宽度大、击穿场强高、热导率高、耐辐射、抗腐蚀等优异的特性,是制造大功率、高频、耐高温器件的优选材料......
对掺钒生长半绝缘6H-SiC中钒杂质能级的补偿机理进行了研究。二次离子质谱分析结果表明，氮是SiC中主要存在的浅施主杂质，掺入的......
异晶型夹杂是影响SiC晶体品质的关键因素之一.在分析耔晶、杂质、生长温度、生长初期工艺、籽晶装配工艺等影响SiC晶型可控生长主......
,Analysis of the effect of sidewall on the performance of 6H-SiC Schottky barrier source/drain NMOSF
Between source/drain and gate of SiC Schottky barrier source/drain MOSFET (SiC SBSD-MOSFET), there must be a sidewall as......
A novel SiC Schottky barrier source/drain NMOSFET(SiC SBSD-NMOSFET) with field-induced source/drain(FISD) extension is p......
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To understand the evolution of defects in SiC during irradiation and the infl uence of temperature, in situ luminescence......
三片具有不同载流子浓度的n型6H-SiC体材料用于83 K到673 K的变温拉曼散射研究,能够得到变温的拉曼散射模.通过测量可以得到,随着......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及La掺杂6H-SiC的电子结构和光学性质进行理论计算.计算结果表明,未掺杂6H-Si......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及Ce掺杂6H-SiC的电子结构和光学性质进行理论计算.计算结果表明,未掺杂6H-Si......
用中子辐照在 6H- Si C pn结中引入的复合中心和深能级陷阱解释了 Si C pn结辐照后电特性退化的现象 ,并推导了辐照后 Si C pn结理......
在可商业获得的单晶 6 H- Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ;并在此 6 H - Si C结构材料上 ,利用反应离子刻蚀和......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Effective Increase of Crystal Area during Sublimation Growth of 6H-SiC by Using the Cone-shaped Baff
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖......
在N型6H-SiC外延片上，通过热蒸发，制作Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)．通过化学气相淀积，进行同质外延生长，详细测量并分析了肖特基二极......
研究了 10 0 0～ 12 0 0℃温度下干氧和湿氧中 6H SiC材料的氧化特性 ,讨论了氧化层厚度与温度、时间、气氛的关系 .实验结果表明 ,......
采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H-SiC单晶薄膜.其晶体质量和结构由X......
6H-SiC bulk crystals have been prepared by sublimation method in an inductively heated growth reactor. The effect of nit......
运用器件模拟软件模拟了pn结6H-SiC紫外光探测器的光响应灵敏度特性.讨论了不同掺杂浓度、不同器件结深对响应灵敏度的影响.对于p+......
相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用......
用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)的方法研究了Ti/n型6H-SC(0001)的接触界面.Ti/n型6H-SiC(0001)样品采用磁控......
High-resolution X-ray diffractometry (HRXRD) was used to assess the quality of 6H-SiC crystals grown by sublimation meth......
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