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Atomic-layer-deposition of high density Pt nanodots on Al2O3 film using(MeCp)Pt(Me)3 and O2 precurso
【作 者】
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【机 构】
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StateKeyLaboratoryofASICandSystem,SchoolofMicroelectronics,FudanUniversity,Shanghai200433,China
【出 处】
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第一届国际ALD应用大会暨第二届中国ALD学术交流会
【发表日期】
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2012年10期
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