晶硅太阳电池的多晶硅氧薄膜电子选择性接触

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多晶硅氧薄膜因其宽带隙和高电导特性,已经成为晶硅太阳电池载流子选择性接触的优选材料[1-6]。本工作采用多晶硅氧薄膜为正面电子选择性接触制备了n型晶硅太阳电池,研究了初始薄膜中氧的掺入对晶硅表面的钝化作用及电池光伏性能的影响。薄膜微结构性能及晶硅表面钝化特性分析揭示,在较低氧含量下,随氧含量增加,薄膜中非晶硅成分的增加导致晶硅表面的钝化作用增强,太阳电池的开路电压和短路电流均可获显著提升,在较高氧含量下,多晶硅的晶粒尺寸降低导致薄膜的导电性能下降,太阳电池的开路电压减小和反向饱和电流密度增加。太阳电池的光伏特性分析揭示,优化薄膜中氧含量可使太阳电池的光电转化效率显著提升。
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