论文部分内容阅读
本文提出了一个深亚微米尺度下总剂量辐照引起的NMOS器件寄生管泄漏电流模型，该模型将辐照对MOS器件的影响直接体现为寄生管阈值漂移与辐照剂量之间的依赖关系，避免了对STI区大量固定正电荷的空间分布做复杂计算。我们还首次分析了寄生管沟道内迁移率的不均匀分布，并提出一个沟道有效迁移率的公式，使得模型能更加准确。模型还考虑了衬底倒掺杂分布对寄生泄漏的影响。我们将此模型嵌入SPICE仿真工具里，模型结果很好的吻合了实验数据。