石墨烯是零带隙的半导体材料，需打开其带隙以扩展其应用范围.实验1与理论2的研究都发现对石墨烯进行氟化可打开其带隙.目前氟化石墨烯的方法条件苛刻且难以控制氟化程度.我们发展了电化学氟化石墨烯的方法，原位电化学－拉曼光谱研究表明石墨烯在高电位下可被氟化.以石墨烯为工作电极(WE)，铂为对电极(CE)，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极(RE)，在0.2 M NaF溶液中进行现场电化学拉曼光谱研究.在纯净的石墨烯上没有观察到缺陷峰(D).在NaF溶液中，施加电位后D峰出现(～0.9 V vs.SCE)且强度随电位正移而逐渐增强，可能是由于石墨烯在NaF溶液中发生了氟化.通过对反应条件(电化学电位及反应时间)的调控有望控制石墨烯的氟化程度进而调控其电子性质与电化学活性.