【摘 要】
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Epitaxial growth of high-quality AlN films have been realized adopting nitridation for sapphire combined with low-and high-temperature (LT-HT) alternation technique by metal organic chemical vapor dep
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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Epitaxial growth of high-quality AlN films have been realized adopting nitridation for sapphire combined with low-and high-temperature (LT-HT) alternation technique by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).It is found that the surface morphology and crystal quality can be greatly improved with the X-ray diffraction (XRD) ω-scan futll width at half maximum (FWHM) values of 130 and 457 arcsec severally for (0002) and (10-12) peaks.
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AlN及其合金是深紫光电子器件和高频大功率微波器件的理想制备材料.然而由于AlN本身的材料特性,导致其生长制备比较困难.一般而言,其生长温度通常比较高,如国内外报道MOCVD和HVPE的生长温度一般在1400℃以上.本工作利用自主研制的高温HVPE系统,在不同衬底上研究了AlN外延生长特性,探讨了生长条件对AlN生长模式的影响.实验发现在一定温度下,通过控制Al源输入偏压,可实现表面原子台阶形态从
InAlN/GaN heterstructures have attracted general attention due to their high spontaneous polarization and the possibility to improve the device reliability [1].Until now,although the InAN/GaN HEMTs wi
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