【摘 要】
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Sb2Te3薄膜析晶温度低,沉积态已经出现了明显的析晶峰,非晶态热稳定性差,无法投入实际应用.引入Mg后,提高了薄膜的析晶温度,沉积态薄膜为非晶态,且Mg掺杂量越高,析晶温度
【机 构】
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信息科学与工程学院,宁波大学,宁波315211,中国
【出 处】
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第七届中国功能玻璃学术研讨会暨新型光电子材料国际论坛
论文部分内容阅读
Sb2Te3薄膜析晶温度低,沉积态已经出现了明显的析晶峰,非晶态热稳定性差,无法投入实际应用.引入Mg后,提高了薄膜的析晶温度,沉积态薄膜为非晶态,且Mg掺杂量越高,析晶温度越高.另外,Mg的引入还提高了薄膜的非晶态电阻率及析晶前后薄膜的电阻率差异.这些优点有利于降低器件功耗、数据存储的稳定性及读取的可靠性.测试结果得到Mg掺杂明显提高了Sb2Ye3薄膜的热稳定,其中Mg27.9(Sb2Te3)72.1薄膜的晶化温度为225℃,晶化激活能为3.39eV,非晶态能够保存10年的最高温度可达142℃C.性能的优化与结构的改变密切相连,通过微观结构测试研究了热处理前后薄膜的显微结构,表明Mg掺杂很大程度上改变了薄膜的结晶机理,晶化越困难,晶化所需的晶化激活能越高.需指出,当Mg含量过高时,如Mg43.6(Sb2Te3)56.4薄膜,由于此时析晶过程连续,电阻率随时间的连续下降,无明显下降沿,已不再适用于做相变存储介质.
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