摘要：三族氮化物是近几年被研究和使用发展起来主要材料之一,其中以氮化镓为基底生长铝镓氮地异质结结构地高电子迁移率晶体管拥有着广泛地应用和研究意义。同时因其稳定、高效等优点,这种结构的晶体管也被传感器领域所青睐。本文就是基于GaN材料在压力传感器中的应用,研究了基于氮化镓材料异质结的高电子迁移率晶体管中被施加压强情况下的电子输运特性变化,通过研究其输运特性来更好的分析GaN材料在受压力情况下时对器件灵敏度的影响。首先本文详细说明了GaN材料作为三族氮化物在压力传感器中的应用前景,他是一种新型应用于传感器的材料。由于GaN材料的压电效应,研究了GaN材料中压电效应对电子迁移率的影响。并且在压电效应影响下,材料晶格内的应力和应变会由于外加机械力而改变,因此我们从胡克定律出发,详细研究了外界压强与晶格应力以及应变的关系表达式,同时着重要求解出施压情况下极化效应的表达式,为之后研究压电效应对GaN材料电子输运特性做准备。之后,我们就可以根据Matthews以及压强与应变的关系来计算和讨论外界压强对外延生长材料临界厚度的影响。当临界厚度变化时,晶格会因之间地压强作用导致的应变能增加而产生失配位错,而这种失配位错是由于晶格常数不匹配造成的。最终因为压强导致的失配位错散射而产生的对电子迁移率的限制。我们通过解析计算分析了外界压强对GaN异质结晶格应力以及应变的影响从而造成的迁移率的变化,再根据模拟分析画出I-V曲线,由此可以直观的反应出影响迁移率的同时对输出电流的影响,通过这些图形的结论就可以得到影响压力传感器件性能的关键因素。最后,通过利用自洽求解薛定谔和泊松方程来给出确定的二维电子气能级,子带能级以及二维电子气面密度。并给出了利用循环自洽的方法求解精确的费米能级。