反铁磁材料为钉扎层的磁性多层薄膜的制备及其特性研究

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自旋电子学是上世纪发展起来的一门新兴学科。自从隧道磁电阻效应被发现以来,以磁性隧道结(MTJ)为核心结构的磁性随机存储器(MRAM)受到了人们的关注,因为其具有良好的非易失性而被认为是传统存储器的完美替代品。在磁性隧道结的反铁磁性层/铁磁性层界面处,由于交换偏置作用,反铁磁性物质可将铁磁性物质钉扎住,这是成功制作磁性隧道结最关键的步骤。由于交换偏置效应和隧道磁电阻效应在磁性存储器和磁传感器上的广泛应用,所以近几十年一直是材料科学领域和自旋电子学领域的研究热点。本论文中,阐述了产生磁电阻效应和交换偏置效应的物理学理论,分别制备了以铁锰合金和铱锰合金为钉扎层的磁性多层薄膜,并对其磁性能进行探究,结果如下:(1)FeMn为钉扎层的磁性多层薄膜样品的制备及其特性研究使用射频高真空磁控溅射仪制备了堆垛结构为SiO2/Ta/Ni81Fe19/Fe50Mn50/Ta的薄膜样品。通过对薄膜进行磁学性能检测,(a)探究了反铁磁性层/铁磁性层界面处交换偏置效应与反铁磁层厚度的关系,当铁锰层的厚度在其临界厚度以上时,薄膜才具有钉扎性能,即反铁磁性层/铁磁性层界面处存在交换偏置效应;而在反铁磁层的临界厚度以上,薄膜的交换偏置场并不是随其厚度的增长而逐渐变大的,这种变化是震荡式的,即存在一个特定的厚度可以产生交换偏置场的最大值(12nm);(b)探究了薄膜样品制备时热处理的温度对薄膜交换偏置场的影响,随着热处理温度的逐渐升高,薄膜样品的交换偏置场和矫顽力是逐渐下降的;当热处理温度逐渐上升到反铁磁材料的截止温度时,反铁磁性颗粒的各向异性降低,温度升高,反铁磁颗粒的自旋排列无序,反铁磁层不会影响铁磁层的自旋取向;(c)探究了冷却场大小对薄膜交换偏置场的影响,磁场中的冷却过程是铁磁性层磁化强度的方向决定交换偏置的方向,而不是冷却场的方向,对于大多数反铁磁性/铁磁性双层膜,当铁磁性层在冷却场中处于饱和时,冷却场的大小对交换偏置的影响很小甚至没有影响。(2)IrMn为钉扎层的磁性多层薄膜的热稳定性研究使用射频高真空磁控溅射仪制备了堆垛结构为Ta(10nm)/NiFe(5nm)/CoFe(3nm)/Al2O3(1.8nm)/CoFe(3nm)/IrMn(10nm)/NiFe(2nm)/Ta(5nm)/SiO2/Si的薄膜样品。通过进行在有无外加磁场中的热处理来评价其磁性特性如何变化,(a)发现在没有磁场的情况下,在300℃或更高温度下进行热处理后薄膜发生了磁性能的劣化,试着建立了简易模型对其出现磁性能变化的原因进行了解释,在没有磁场的情况下通过热处理使钉扎层自旋的方向分散从而使薄膜磁性能发生劣化;(b)提出了一种将薄膜样品变化后的磁性能恢复到其初始状态的方法,即在没有磁场的情况下在300℃-365℃进行热处理之后MTJ多层膜的磁性能可以通过在300℃的18k Gs的磁场中的热处理来恢复,并且通过实验对其进行了验证。
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