Ge-SiO<,2>薄膜的光致发光和电致发光及其机理研究

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【摘要】

：

本论文主要研究了Ge-SiO_2薄膜的光致发光（PL）和电致发光（EL）性质，讨论了可能的发光机理。采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO_2薄膜，随后在N_2中进行不同温度的退火。用XRD、TEM、FTIR、XPS等测试方法对薄膜的微结构进行了表征。600℃退火后的薄膜中开始有Ge纳米晶粒出现，经600℃到1000℃退火，Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9nm增至6.1nm。测量了薄膜...

【作者】

：

董业民

【机构】

：

苏州大学

【发表日期】

：

2001年01期

【关键词】

：

Ge-SiO2薄膜射频磁控溅射光致发光电致发光发光机理

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