Ⅳ-Ⅵ族半导体材料具有独特的热电、光电和磁学等性质。作为第四主族和第六主族元素组合半导体材料,硒化锡已经通过实验成功制备。其两种组成元素Sn和Se在地球上的储量十分丰富,且均为环境友好型元素。其块体材料直接带隙为1.3eV,间接带隙为0.9eV,可用于制作太阳能电池。另外,硒化锡可被使用于制作光学器件、内存交换设备、红外线光电设备和锂蓄电池的阳极材料等。正是硒化锡的这一特性促使人们对其热电性质的研究产生极大的兴趣,从而忽视了它在磁性半导体方面的潜在性能。本文采取密度泛函理论方法,结合赝势和超元胞模型,利用VASP程序包系统研究了电场对Ti,Zn原子掺杂单层硒化锡磁性的影响和N,P,Cl掺杂对单层硒化锡电子结构的影响。其主要内容和结果如下:1.电场对Ti,Zn原子掺杂单层硒化锡磁性的影响采用基于第一性原理的密度泛函理论对Ti和Zn掺杂单层硒化锡的磁性进行研究。硒化锡中的锡元素被替代。计算表明Ti比Zn更易在单层硒化锡体系中掺杂。Ti掺杂体系具有磁性,体系的费米能级向导带移动,而Zn掺杂单层硒化锡体系不具有磁性。加外电场使得Ti和Zn在单层硒化锡中掺杂变难,外电场会引起Ti掺杂单层硒化锡体系的电荷重新分布。在-0.4~0.4 V/?范围内,外电场对Ti和Zn掺杂硒化锡体系的磁性影响很小。2.N、P、Cl掺杂对单层硒化锡电子结构的影响采用基于第一性原理的密度泛函理论对N、P和Cl掺杂单层硒化锡的电子结构进行研究。硒化锡中的硒元素被替代。N、P和Cl掺杂后硒化锡体系均没有磁性。计算表明,N比P和Cl更易在单层硒化锡体系中掺杂。N,P掺杂使体系的费米能级向价带移动,且P掺杂比N掺杂使体系的费米能级向价带里边移动地得更多。而Cl掺杂使硒化锡的费米能级向导带移动。