微波PIN二极管是一种高阻本征区夹于P型和N型区之间的半导体二极管，是一种重要的微波控制器件，是各类微波开关、衰减器、移相器、限幅器、调制器等的核心器件，在相控阵雷达、卫星通讯、电子对抗、精确制导、空中打击等领域有着广泛的应用。　　 该项目是在新品课题WP0007型大功率PIN二极管研制的基础上开展的硅微波PIN二极管设计与工艺技术研究。论文系统的研究了PIN二极管的工作机理，建立了电路模型，并对PIN二极管的电参数进行了分析，给出了设计公式，同时研究了PIN二极管的基本设计方法，给出了PIN二极管设计的基本原则。　　 论文研究了PIN二极管工艺途径，比较了台面与平面两种结构的PIN二极管的工艺方法与优缺点，并对台面结构的PIN二极管的工艺流程进行了详细分析。　　 为实现大功率PIN二极管研制技术上的突破，在WP0007型PIN二极管的研制过程中开展了8项关键技术的工艺专题研究，解决了器件研制中存在的关键问题，主要包括：　　 (1)浓硼扩散工艺技术　　 (2)铅玻璃钝化工艺技术　　 (3)湿法台面腐蚀工艺技术　　 (4)光刻工艺技术　　 (5)电镀工艺技术　　 (6)装架工艺技术　　 (7)多层金属电极系统制作工艺技术　　 (8)C(V)特性测试技术　　 项目研究的WP0007型PIN二极管，采用了台式结构、玻璃钝化、金系多层电极系统、芯片倒装等工艺技术，电性能全面满足合同与使用要求，经筛选后依照详细规范进行了全项鉴定检验，最终全部试验组均以0失效检测通过了鉴定考核。该项目取得了良好的社会与经济效益，在解决了工程急需的同时，两年来累计订货达200余万元。