55纳米工艺节点中离子注入层的光学临近效应修正

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集成电路制造技术中,传统的光学临近效应修正都是基于平坦化衬底的。针对离子注入层的包括有源区、浅槽隔离区和栅极的复杂结构,一直是以近似平坦化的办法来修正光学临近效应的。这样做会导致离子注入层图形尺寸同原始设计产生偏差甚至产生光刻工艺缺陷。本文阐述了一套针对离子注入层的混合式光学临近效应修正方法。通过模型式的修正办法来补偿常规的光学临近效应变化,而利用规则式的修正办法来补偿衬底变化造成的误差。首先根据集成电路的设计规则和电路特性,设计一组测试图形。这组测试图形包括覆盖最小设计规则的离子注入层图形,以及根据设计规则以及电路特性分布在其周围的有源区和栅极结构。分别将这三层图形出版在有源区、栅极、离子注入层掩模版上。利用有源区掩模版构造出有源区和浅槽隔离区衬底,利用栅极掩模版构造出栅极衬底。在这两种衬底上,通过电子显微镜测量离子注入层图形受到衬底变化的影响。分析这部分数据后,将这种影响转化成补偿表。在正常的离子注入层光学临近效应修正前,加入一步规则式的目标层调整步骤,使补偿表在目标层上得以实施,构建出一层新的目标层。最后在此新的目标层上进行模型式光学临近效应修正。通过在N型源漏层上测试该流程,可以将衬底造成的离子注入层图形误差控制在+/-10%以内。结果表明基于固定的浅槽隔离、栅极工艺,这一方法可以预测并成功补偿衬底造成的离子注入层图形偏差。
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