掩模版相关论文
光刻技术是半导体集成电路技术发展的主要推动技术，其不断提高的分辨率与图形复制精度成功地将集成电路制造线宽从40多年前的2～3μm......
阐述为研究和实现11代生产线(G11)掩模版的涂胶工艺,验证最佳的旋转涂胶工艺参数.采用正交试验法,以转速、旋转加速度及时间为指标......
半导体工艺中图形位置精度作为掩模版的关键技术指标直接决定着光刻套准精度和最终芯片的良品率.在分立器件行业,为满足微米级特征......
随着CIS技术的发展和广泛应用,小透光率(Transmission rate,TR)的浅沟槽刻蚀得到最为广泛的应用。针对浅沟槽刻蚀,特别是小透光率......
本文提出一种利用基于DMD(数字微反射镜装置)的数字光刻系统制作掩模版的方法。首先通过ATUOCAD制图软件制作出二元光栅、龙基......
掩膜版制备是微波集成电路制作的重要环节。传统掩模版制作方法存在精度差、效率低等缺点，本文通过激光光绘技术在MIC掩模版制作中......
本文提出了一种新型空穴旁路TIGBT器件。在传统TIGBT的基础之上，新结构采用槽型发射极并在金属发射极下引入一层P+空穴旁路区。仿真......
掩模版传输是高性能光刻机的一个重要组成部分,随着光刻技术的不断发展,对其传递过程的各种要求也不断提高,同时对于实现其功能传......
对AlGaInP/GaAs HBT制备中的基区台面腐蚀、欧姆接触和掩模版标记套刻技术进行了研究,对上述工艺中发现的问题,提出了解决方法,获......
该文介绍了一种制作硅立体多层微结构的体微机械加工新技术。基于使用ＫＯＨ溶液的无掩模腐蚀特性，通过设计一块掩模版和进行一次有掩模到......
该文提出了用全息方法制作高精度相位掩模版的方案，用比较简单的方法分析了零级抑制石英相位掩模版的光学原理，找到了抑制零级加强一......
该文以这几年为用户提供线宽CD为0.4um，公差要求±0.1um的掩模版，通过不断的实验，阐述了线宽为深亚微米的制作与普通线宽的制作，从数据......
掩模传输系统是光刻机的重要组成分系统，主要承担掩模版的存贮、传输、定位和交换等工作，能够避免人与掩模版直接接触而对掩模版造成......
采用大规模集成电路的多次掩模光刻和刻蚀技术制作二元光学元件阵列是较为传统和实用的制作方法,其工艺过程主要包括:利用光刻技术......
1 引言rn真空掩模蒸镀是制备OLED发光层的主要方法.OIJED掩模版所用的材料是热膨胀系数极低的Invar合金,通常掩模版的厚度只有40μ......
结构化ASIC与标准单元ASIC的区别在于,大部分结构化ASIC经过预先加工,在制作过程中进行准备,为后续的专用设计预置在最佳阶段.当用......
三星电子成功开发了3套掩模版TFT阵列工艺技术。一般TFT阵列工艺采用5或4套掩模版技术制作TFT阵列，3套掩模版工艺与4套掩模版工艺相......
提出一种基于可编程控制器和四象限探测器的集成电路掩模版对准系统．该系统采用两个四象限探测器构成对准检测装置，实现对掩模版对准......
基于光纤陀螺的小型化和工程化设计要求,提出模块化设计概念。设计了一种Y型SOI波导耦合器,用于光纤陀螺光收发模块。此结构具有形......
提出一种由曝光单元拼接斜矩形线条的数学模型，基于该模型编制了一款数据处理程序。利用该数据处理程序和特制的光栏版，使精缩机实现......
本文在成熟使用电子束曝光机制作各种掩模版的基础上,针对评价掩模版质量的三大因素:图形尺寸精度、图形套准精度、芯片合格率逐一......
极紫外光刻(EUVL)技术是实现45 nm特征尺寸的候选技术之一,产业化设备要求300 mm硅片的产率大于每小时80片(80 wafer/h),此时入射......
介绍了无掩模光刻技术的现状和存在的问题，并对几种常见的无掩模光刻技术进行了详细的对比分析。研究表明，扫描电子柬光刻具有极高的......
5700-CDRT作为下一代光学掩模系统同时具有CD-SEM功能、DUV双束激光干涉器和俄歇光谱仪，可以同步进行极化光反射和在DUV-vis-NIR波......
介绍了用Leica VB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4英寸铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、......
介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光......
日本科学家Tadashi Komagata开发出带电粒子束光刻系统，并已申请专利。此系统通过电子束或离子束用于掩模版或硅晶圆的直写光刻。......
版库装置是一些半导体设备的必要组件，版库装置的主要功能是：对放置于版库上的版盒进行检测．识别版盒中掩模版的存贮状况；锁定或解锁版......
首先简要介绍了缺陷修复系统中自动喷涂技术的定义,应用自动喷涂技术修复掩模版透明缺陷的优势以及实验目的,然后通过实验确定了对......
集成电路制造工艺的关键尺寸随着“摩尔定律”一步步的缩小到了28纳米。这一制程节点是应用双重曝光之前的最后一个世代,所以对光......
立足于与常规CMOS兼容的SOI工艺,提出了电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的集成结构和工艺方案.该方案只使用9块掩模版即完......
在光刻波长进入到193 nm之后,雾状缺陷（haze defect）越发严重,研究发现环境是雾状缺陷产生的重要原因。目前晶圆厂主要采用改善掩模......
针对传统接触式曝光过程中掩模版因自身重力产生形变从而引入不可忽视的线宽误差和位置误差的问题,提出了一种大口径石英基底衍射......
套刻精度是步进式光刻机最重要的指标之一。从应用角度探讨了Nikon系列光刻机的对准方法 ,举例说明了众多对准标记在实际掩模版上......
据《S．I．》杂志1998年第三期报道，由Glasgow大学电子和电气工程系组建的KelvinNanotechnology公司声称，在硅衬底上的PMMA层上，用直接描......
本文从接触式光刻技术的角度出发,对引起光刻掩模版局部损坏的可能原因进行分析,并根据遇到的具体情况,提出改进方法,开发新的生产......
一、快速发展的半导体制造技术 Moore规律(储存器容量每三年翻两番)预测并指导了半导体技术发展趋势。这已被三十年的经历所证明,......
针对90 nm及以下线宽光刻设备对掩模版升降定位存取机构功能和性能的需求,确定了掩模版升降定位存取机构的基本构架,并对机构进行......
针对三重图样光刻和定向自组装技术下通孔层的掩模版和引导槽分配问题,首先为给定版图构造一个加权冲突分组图;然后,基于加权冲突......
本文介绍一种新型双面对版曝光机。该机由传统的单面曝光机改装而成，结构简单，工作原理新颖，操作简便，能方便地在任意中间工序实现晶片......
