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本文利用非自耗电弧炉熔炼法,并在马弗炉中进行高温真空固态反应,制备出 CuIni-xRxTe2(R=Eu、Sm)、Cu2ZnSnSe4、Cu2Zn1-xCexSnTe4 体系半导体化合物。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪、紫外可见分光光度计等仪器对样品进行测试,同时利用PDF卡片、TREOR指标化、Rietveld结构精修的方法得到晶体结构参数,并对其形成的相进行分析。结果表明:CuIn1-xRxTe2(R=Eu,Sm)的单相均为CuInTe2相结构,空间群为I-42d。对于CuInIxEuxTe2半导体化合物,点阵常数范围为a=6.189(8)-6.191(2)A、c=12.405(6)-12.409(1)A,Eu原子取代了化合物中部分的In原子,共同占据4b(0,0,1/2)晶位。通过扫描电子显微镜,观察到随着Eu含量的增加,晶粒细化。由紫外可见分光光度计测得CuInTe2的光吸收带宽Eg值为1.06eV,CuIn1-xEuxTe2(x=0.1,0.2,0.3)的光吸收带宽Eg值在1.12eV-1.20eV之间。这意味着Eu的掺杂可以拓宽禁带宽度,说明CuIn1-xEuxTe2提高了光学性能,是光伏电池较好的选择。多晶黄铜矿结构CuInTe2与CuIn0.9Eu0.1Te2的电阻率随温度的变化服从跳跃-变程跳跃的混合模型,两者均表现出典型的半导体特性。对于CuIn1-xSmxTe2半导体化合物空间群为 I-42d,点阵常数范围为 a=6.189(5)-6.193(8)A、c=12.401(0)-12.409(7)A,Sm原子取代了化合物中部分的In原子,共同占据4b(0,0,1/2)晶位。Rietveld精修结果证明:CIST相具有沿[112]取向的四方黄铜矿结构。Cu2ZnSnSe4半导体化合物所属四方结构的空间群为I-42m,精修后的晶胞参数为a=5.679(6)A,c=11.337(9)A。而杂相Cu3Se2属于四方晶系,空间群为P-421m,Cu占据两个晶位,分别为2a(0,0,0),4e(0.147,0.647,0.781)晶位,Se占据4e(0.272,0.772,0.264)晶位。Cu3Se2精修后的晶胞参数为 a=6.418(2)A,c=4.206(4)A。Cu2Zn1-xCexSnTe4中每个晶胞中包含2个单胞,即Z=2。主相的空间群为I-42m,属于四方晶系,点阵常数范围是a=6.054(3)-6.096(2)A,c=12.079(1)-12.137(5)A。在单胞中,原子占位分别对应于Cu原子占据4d(0,0.5,0.25)晶位,Zn和Ce原子占据2a(0,0,0)晶位,Sn原子占据2b(0,0,0.25)晶位,Te原子占据8i(x,x,z)晶位。