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AZ63镁合金(名义成分Mg-6 wt%Al-3 wt%Zn)由于其优异的力学性能和电化学性能,已作为结构材料和牺牲阳极材料被广泛应用。本论文以3.5 wt%NaCl溶液为电解液,通过材料表征、物相分析、浸泡实验和电化学测试,对AZ63镁合金的腐蚀机理,In元素合金化电化学活化机理以及In、Ga元素对AZ63镁合金腐蚀和放电行为的影响进行了研究。本论文的主要研究工作如下:(1)研究热处理对AZ63镁合金的腐蚀行为的影响。对制备的铸态、固溶态(T4)、时效态(T5)的三种微观组织结构不同的AZ63镁合金进行了腐蚀行为研究,结果表明:T4态镁合金由于表面氧化膜具有较好的保护性,在浸泡初期腐蚀速率为三者中最低。但随着氧化膜消耗殆尽,T4态镁合金表面产物膜对基体保护性最差,使得其腐蚀速率变成三者中最高。铸态和T5态镁合金晶界有析出物的存在,会与晶粒形成微电偶,在浸泡初期表现为高的腐蚀速率,但它们生成的腐蚀产物容易粘附于电极表面,因此对腐蚀的发展起到了一定抑制作用。(2)提出了In元素合金化对AZ63镁合金电化学活化的机理。向AZ63镁合金中添加0.5 wt%的In元素并与镁形成固溶体,可以通过协同作用活化镁合金,协同作用具体包括:促进晶界第二相的析出、生成易脱附的腐蚀/放电产物以及In元素的“溶解-再沉积”作用。(3)In元素合金化提高了镁合金的腐蚀和放电活性。通过向AZ63镁合金中添加不同质量分数(1 wt%,1.5 wt%,2 wt%)的In元素,结果表明:In元素合金化在镁合金自腐蚀和放电情况下均能起到活化作用。主要通过细化合金晶粒、促进Mg17Al12相析出和In元素的“溶解-再沉积”来实现。Mg-6 wt%Al-3 wt%Zn-1.5wt%In合金自腐蚀速率最高,但放电性能却并不理想,说明由Mg17Al12相引起的电流屏蔽作用在阳极极化条件下得到了强化。(4)Ga元素合金化降低了镁合金的腐蚀速率却提高了放电活性。通过向AZ63镁合金中添加2 wt%的Ga元素,结果表明:由于Ga元素促进了第二相Mg17Al12和GaMg2在晶界上的析出,第二相形成了网状结构,该结构能有效屏蔽腐蚀电流,因此含Ga的AZ63镁合金的自腐蚀过程受到抑制。然而,Ga元素的合金化却可以使镁合金的放电电位显著负移,提供高的电流密度,形成有利于电解液渗透的薄而细的产物膜,提高阳极材料的电流效率,提高镁合金作为阳极材料的放电能力。