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环形器是一种在军事和民用领域都被广泛应用的微波器件。传统的环形器都是在块状铁氧体材料上制备的，导致其具有体积大、质量重等缺点。随着现代化设备对器件的体积、质量等因素越来越敏感，发展出体积小、质量轻的环形器已经刻不容缓。薄膜环形器就是在这种背景下应运而生的。虽然已经有很多研究人员对薄膜环形器做了大量的研究，但是当前的薄膜环形器制备技术仍然很不成熟，其中一个制约其发展的因素就是难以制备出高质量的铁氧体厚膜的。本研究致力于用脉冲激光沉积技术(PLD)制备出高质量的钇铁石榴石(YIG)薄膜。首先，深入研究了沉积温度、氧气压强等薄膜制备参数对用PLD法在Si(100)和GGG(111)基片上制备出的YIG薄膜的微观结构、磁性、共振线宽等性能的影响，得到了在Si基片和GGG基片上制备YIG薄膜的最佳条件。接着，根据研究在Si基片和GGG基片沉积YIG薄膜得到的最优条件在MgO基片和蓝宝石制备出了微米级的YIG薄膜，证明这两种基片也可以用来沉积YIG薄膜。最后，在Si基片、GGG基片、MgO基片和蓝宝石基片上分别制备出了厚度超过10um的YIG薄膜。通过对制备的10um以上的YIG薄膜性能的研究得出了以下结论：（1）由于晶格常数和热膨胀系数不匹配，很难在Si基片和蓝宝石基片上制备出高质量的，可以应用于薄膜环形器制备的YIG薄膜；（2）GGG基片和MgO基片可用于制备超过膜厚超过10um的YIG薄膜。