本硕士论文选题于国家教育部跨世纪人才和国家自然资金(No. 69890230)资助的项目“硅基GaN的外延生长及器件应用”的一部分研究工作。 近年来，宽禁带半导体材料GaN由于其在短波长发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注，发展十分迅速。由于GaN体单晶难以制备，生长高质量的薄膜单晶材料是研究开发GaN基器件的基本前提条件，同时器件的发展对电极的制备提出了更高的要求，因而研究金属电极与GaN的接触成为必然。 本论文系统总结了国内外GaN材料制备和器件应用的研究历史和现状，利用自行改造的热壁外延设备，对硅基GaN薄膜的生长及材料性能进行了研究。本文的主要工作是对金属与硅基n型GaN的欧姆接触进行了较细致的研究，并在此基础上制备了硅基GaN上的紫外探测器。 主要工作如下： 1、在国内首次采用简便的反应蒸发法，利用热壁外延技术，在Si(111)衬底上利用多晶GaN缓冲层生长出了六方结构的GaN单晶薄膜。 2、研究了Al单层及Ti/Al双层电极与n型Si基GaN在不同退火条件下的欧姆接触情况，并用X射线衍射谱(XRD)，二次离子质谱(SIMS)对界面固相反应进行了分析，首次提出了二次退火的方法。 3、在本实验室自行生长的Si基GaN上实现了MSM结构的光导型紫外光探测器。