【摘 要】
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InN是一种性能优异的半导体材料,具有高的电子迁移率和小的直接带隙(0.7eV),在高速电子器件、红外光电器件方面有着巨大的应用前景。本文首次以单晶Cu为衬底,探索采用常规的真空蒸发反应法制备InN外延薄膜。为了制备合适的Cu单晶衬底,利用自制的蒸发源,采用真空蒸发沉积法系统研究了Cu在Si(100)和Mica(001)两种不同衬底上的的外延生长。对于Cu(100)/Si(100)体系而言,衬底的
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InN是一种性能优异的半导体材料,具有高的电子迁移率和小的直接带隙(0.7eV),在高速电子器件、红外光电器件方面有着巨大的应用前景。本文首次以单晶Cu为衬底,探索采用常规的真空蒸发反应法制备InN外延薄膜。为了制备合适的Cu单晶衬底,利用自制的蒸发源,采用真空蒸发沉积法系统研究了Cu在Si(100)和Mica(001)两种不同衬底上的的外延生长。对于Cu(100)/Si(100)体系而言,衬底的温度是Cu(100)薄膜在Si(100)上外延生长的关键影响因素,在沉积的开始阶段需要保持衬底温
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