NiTi形状记忆合金由于具有出色的形状记忆效应(SME)和超弹性(SE)效应而倍受人们关注。因其具有可恢复应变大、输出应力高、驱动电压低、生物相容性好等显著优点, NiTi薄膜已成为MEMS微驱动器中最具应用潜力的驱动方式之一。但是为了实现器件的实用化,有些相关基础问题尚需研究。本文首先通过室温溅射方法制备了NiTi薄膜,并采用电阻温度曲线、拉伸、鼓气、纳米压痕等多种分析方法,对近等原子比NiTi薄膜的超弹性特性进行了研究。结果表明:拉伸法,鼓气法和压痕法均能较为直观地表达出各种状态下薄膜的超弹性特性和相应的力学参数,其中鼓气法由于受力状态与实际应用中的薄膜最为相近,因此可以真实地反映驱动器薄膜的力学性能。其次讨论了NiTi薄膜的热相变特性。结果表明:原位晶化可以直接获得具有相变特性的晶化薄膜,从而避免了高温热处理带来的不利影响,并简化了工艺。通过控制溅射工艺可获得具有不同相变特性的SMA薄膜,本文中应用于微器件的最佳制备工艺为:原位加热300℃,溅射功率200w,Ar压力6×10-4Torr。在采用XRD和极图分析方法讨论了薄膜中织构的形成及影响因素后,本文还用Matlab软件计算了薄膜的相变应变,并结合实际情况进行了算法改进。织构分析表明:原位晶化制得的薄膜具有较强的A(110)织构,适当的基板温度、较低的溅射功率和Ar压力可以得到强织构;对多晶相变应变的理论计算表明(110)强织构应变要大于弱织构,而完全无织构的薄膜应变又大于有织构的样品,并且沿宏观不同受力方向的应变各不相同。由于在薄膜制备过程中织构的出现是不可避免的,因此加工薄膜时很有必要进行织构的控制。本文利用ANSYS有限元分析软件对SME器件桥结构进行了驱动过程的分析与仿真,并研究了薄膜内部应力的分布情况。模拟结果表明:薄膜从高温冷却到室温时界面的热应力大小为169Mpa,并在沿厚度方向存在应力梯度,且A状态和M状态沿三维方向的应力分布不同。该热应力的变化是影响薄膜驱动效果的主要因素。最后,利用上述的研究结果和MEMS加工技术制备了形状记忆合金微温度开关,达到了良好的实际效果。结果表明:单层的NiTi桥结构的挠度比起NiTi/Si复合结构的挠度大大增加,最高的可回复应变为0.5%;MEMS热开关的工作区间在20℃～70℃之间,经多次升温和降温后器件的工作状态趋于稳定,热滞在15℃左右。