随着功率系统对功率变换、动力驱动、能量传输等要求越来越高,设计和实现高性能、高可靠性以及低成本的智能功率模块（IPM）成为了最佳解决方案,其通过减小系统规模、降低系统总成本,有效简化了功率系统的设计过程。而高压栅极驱动集成电路（HVIC）的设计对IPM的稳定性和可靠性又起着至关重要的作用。近年来,HVIC在消费电子、信息通讯、工业生产以及军事宇航等诸多领域的应用日益广泛。与此同时,各种智能科技电子产品推陈出新,对HVIC的高效化和智能化提出了更高要求。因此,设计低功耗和高可靠性的HVIC一直是科研人员的研究热点。本文通过对功率器件IGBT的工作原理和驱动电路进行介绍,设计了一种低功耗、高可靠性、高集成度且能够实现同相输出的芯片系统架构,其中为满足芯片输入与输出相位相同的要求,提出了一种死区时间产生电路结构,此电路不仅结构简单,而且又能满足芯片的延时与可靠性的设计要求。本文基于600V 3μm BCD工艺,重点研究高压电平移位电路的抗干扰能力、芯片自举电路以及栅极驱动控制等关键技术,实现HVIC整体性能的有效提高。设计思路体现在三个方面,第一,基于对传统高压电平移位电路的工作原理分析,提出了电路不足之处,并对电路的抗d V/dt噪声能力和抗VS负过冲能力进行优化设计。第二,为了改善传统栅极驱动开关性能,采用一种新的有源栅极驱动控制电路以降低IGBT开关期间中的电压和电流过冲。第三,针对传统自举电路可靠性差、集成度低、成本高等问题,设计了一种集成MOS自举电路,实现了替代自举二极管的自举方案。在第一次HVIC芯片流片验证的基础上,为了进一步改善芯片的集成自举电路可靠性,提出了一种电荷泵升压控制MOS自举电路,解决了原先自举电路充电不足15V的问题。芯片仿真测试结果表明,HVIC具有良好的性能,这为后期IPM的设计奠定了良好基础。