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为了制得具有极低逾渗阈值及优异正温度效应（PTC效应）的导电高分子复合材料，本文采用先将导电粒子与高分子增容剂反应，再与不相容共混体系熔融共混的方法，利用高分子增容剂将导电粒子诱导分布于相界面处，从而制备出导电粒子位于两相界面处的导电高分子复合材料。系统研究了导电粒子形貌、基体树脂两相形态结构对复合材料逾渗阈值、PTC性能的影响。研究结果表明，对于乙烯丙烯酸丁酯接枝马来酸酐共聚物（EBA-g-MAH）增容乙烯丙烯酸丁酯共聚物/尼龙6（EBA/PA6）不相容共混体系，采用炭黑（CB）为导电粒子时，CB可被EBA-g-MAH诱导分布于相界面，在界面处构成导电通道，体系最低逾渗阈值为0.75wt%，远低于CB分布于EBA/PA6体系中PA6相时的逾渗阈值（5wt%）。采用碳纳米管（CNTs）为导电粒子时，CNTs分布于PA6相及相界面，体系的导电通道是由PA6相和相界面共同构成，体系的最低逾渗阈值为0.5wt%，低于CNTs分布于PA6相时的逾渗阈值（8wt%）。对于苯乙烯接枝马来酸酐共聚物（SMA）增容聚苯乙烯/尼龙6（PS/PA6）不相容共混体系，采用碳纳米管CNTs为导电填料，CNTs也分布于PA6相及相界面，体系的导电通道是由PA6相和相界面共同构成，PS/PA6/（SMA-CNTs)体系的最低逾渗阈值0.112wt%、低于CNTs分布于PA6相时的逾渗阈值（7wt%）。研究上述不相容共混体系形态结构对PTC效应的影响发现，当PA6相为分散相时，体系均出现“双PTC效应”，第一次PTC效应是由基体中连续相的相转变所引起的，第二次PTC效应是由处于分散相的PA6相发生相转变引起的,与导电通道的构成无关。当PA6相为连续相时，导电通道的构成对体系的PTC效应有显著影响：采用CNTs粒子填充的复合材料体系，导电通道是由PA6相及相界面构成，分散相的相转变不影响PA6相的导电通道，使其只出现一次PTC效应；采用CB粒子填充的复合材料体系，导电通道是由相界面构成，分散相及连续相的相转变均会破坏导电通道，导致出现“双PTC效应”。而双连续相结构的PTC效应产生机理则更为复杂，与体系的导电通道和两相物性都有关。