论文部分内容阅读
新型阻变存储器(RRAM)因其高存储密度、低功耗、结构简单且可与CMOS工艺相兼容等优点被公认是下一代非挥发性存储器之一。铁酸铋作为具有阻变效应的材料之一,因其大的高低阻比与非挥发性,且同时兼具铁电性、介电性、磁电耦合特性等而备受世界瞩目。目前铁酸铋薄膜中的阻变效应根本物理机制并不明确,制约了其阻变存储器的商业化,世界各国研究学者们分别从实验与机理上对铁酸铋薄膜的阻变效应展开了大量的研究。本文主要对铁酸铋薄膜的阻变性能进行研究,对阻变效应的阻变机制与导电机制进行深入分析,进一步研究铁电极化对阻变性能